MICROMACHINED ULTRASONIC TRANSDUCER DEVICES WITH METAL-SEMICONDUCTOR CONTACT FOR REDUCED CAPACITIVE CROSS-TALK

Embodiments reduce capacitive cross-talk between micromachined ultrasonic transducer (MUT) arrays through grounding of the substrate over which the arrays are fabricated. In embodiments, a metal-semiconductor contact is formed to a semiconductor device layer of a substrate and coupled to a ground plane common to a first electrode of the transducer elements to suppress capacitive coupling of signal lines connected to a second electrode of the transducer elements. L'invention concerne, dans certains modes de réalisation, la réduction de la diaphonie capacitive entre des réseaux de transducteurs ultrasoniques micro-usinés (MUT) par la mise à la terre du substrat sur lequel sont réalisés les réseaux. Dans certains modes de réalisation, un contact métal-semiconducteur est formé vers une couche de dispositif à semiconducteur d'un substrat et couplé à un plan de masse commun à une première électrode des éléments transducteurs pour contrecarrer le couplage capacitif de lignes de signal reliées à une deuxième électrode des éléments transducteurs.