METHOD OF FABRICATING A BOND PAD IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

In fabricating a bond pad in a semiconductor device, the silicon nitride and silicon dioxide layers are separately etched using fluorine-based plasma in a reactive ion etching process chamber. Each layer's recipe is customized, instead of using the same recipe or parameters for both layers as conventionally practiced, so that the initial undercut structure is prevented from forming and growing into the undesirable trench on the surface of the nitride layer. Next, solvent cleaning process is done after the etching so that the unwanted polymers formed during the etching may be removed. The remaining photoresist is then removed using a microwave oxygen plasma ashing method. The last layer, TiN ARC, is then removed using a chlorine- based plasma in a reactive ion etch process chamber. Finally, the exposed metal bond pad surface is cleaned with a solvent-free cleaning agent to remove the unwanted residues and by-products from the TiN ARC etching to avoid pitting corrosion of the metal surface. La présente invention concerne la fabrication d'un plot de connexion dans un dispositif à semi-conducteur, des couches de nitrure de silicium et de dioxyde de silicium étant gravées séparément au moyen d'un plasma à base de fluor dans une chambre de traitement par gravure par ions réactifs. Chaque formule de couche est personnalisée au lieu d'utiliser la même formule ou les mêmes paramètres pour les deux couches comme cela se fait habituellement, de sorte que la structure initiale de gravure sous-jacente ne peut former une tranchée indésirable sur la surface de la couche de nitrure. Ensuite, un procédé de nettoyage par solvant est mis en œuvre après la gravure, de façon à éliminer les polymères indésirables formés lors de la gravure. La réserve photosensible restante est ensuite éliminée en utilisant un procédé de calcination par plasma à oxygène généré par micro-ondes. La dernière couche, TiN ARC, est ensuite éliminée au moyen d'un plasma à base de chlore dans une chambre de traitement par gravure par ions réactifs. Finalement, la surface métallique du plot de connexion exposée est nettoyée avec un agent de nettoyage sans solvant pour éliminer les résidus et sous-produits indésirables issus de la gravure de TiN ARC, afin d'éviter la piqûration de la surface métallique.