DESIGN FOR TEST (DFT) READ SPEED THROUGH TRANSITION DETECTOR IN BUILT-IN SELF-TEST (BIST) SORT

A memory is disclosed that can operate in a normal mode of operation or a testing mode of operation. In the testing mode of operation, the memory can measure various benchmarks of performance, such as read speed. The memory can perform an asynchronous read operation to read a word of electronic data that corresponds to an address or a page read operation in which multiple asynchronous read operations are performed to read multiple words of electronic data, also referred to as a page of electronic data, that correspond to multiple addresses. The memory can measure a time required, referred to as read speed, to read the word of electronic data or the multiple words of electronic data from the memory. In the normal mode of operation, the memory can perform the asynchronous read operation, the page read operation, an asynchronous write operation in which a word of electronic data is stored into the memory that correspond to the address, or a page write operation in which a page electronic data is stored into the memory that correspond to the multiple addresses. L'invention concerne une mémoire pouvant fonctionner en mode de fonctionnement normal et en mode de fonctionnement d'essai. Dans le mode de fonctionnement d'essai, la mémoire peut mesurer différents critères de performance, comme la vitesse de lecture. La mémoire peut effectuer une opération de lecture asynchrone à des fins de lecture d'un mot de données électroniques qui correspond à une opération de lecture d'une adresse ou d'une page dans laquelle de multiples opérations de lecture asynchrone sont effectuées pour lire de multiples mots de données électroniques, aussi appelés page de données électroniques, qui correspondent à de multiples adresses. La mémoire peut mesurer une durée requise, appelée vitesse de lecture, pour lire le mot de données électroniques ou les multiples mots de données électroniques en provenance de la mémoire. Dans le mode de fonctionnement normal, la mémoire peut effectuer l'opération de lecture asynchrone, l'opération de lecture de page, une opération d'écriture asynchrone dans laquelle un mot de données électroniques est stocké dans la mémoire qui correspond à l'adresse, ou une opération d'écriture de page dans laquelle des données électroniques de page sont stockées dans la mémoire correspondant à de multiples adresses.