BIT-FLIPPING IN MEMORIES

Data stored in SRAM cells are periodically flipped e.g., before long idle periods. Operating the memories in both a 'flipped' mode and a 'non-flipped' mode helps cause the Bias Temperature Instability (BTI) degradation to be symmetric, thereby not degrading the Static Noise Margin (SNM) degradation of the cells. The data stored in memory locations is flipped by reading out the data, inverting the read out data, and writing the inverted read out data into the memory locations until the memory locations of the SRAM have been read out and written. When the memory operates in flipped mode, data read from and written into the memory is inverted to maintain transparency to the memory user. After operating the data in flipped mode for a period of time, the flipped data stored in the memory is reflipped to operate in the non-flipped mode. Selon la présente invention, des données stockées dans des cellules SRAM sont périodiquement permutées, par exemple avant de longues périodes de veille. Le fonctionnement des mémoires dans un mode « permuté » et dans un mode « non permuté » permet à la dégradation d'instabilité de température de polarisation (BTI) d'être symétrique, ne dégradant pas ainsi la dégradation de marge de bruit statique (SNM) des cellules. Les données stockées dans des emplacements de mémoire sont permutées par la lecture des données, l'inversion des données lues et l'écriture des données lues inversées dans les emplacements de mémoire jusqu'à ce que les emplacements de mémoire de la SRAM aient été lus ou écrits. Lorsque la mémoire fonctionne dans un mode permuté, les données lues depuis la mémoire et écrites dans celle-ci sont inversées pour maintenir la transparence pour l'utilisateur de mémoire. Après le fonctionnement des données dans un mode permuté pendant un laps de temps, les données permutées stockées dans la mémoire sont re-permutées pour fonctionner dans un mode non permuté.