CMOS INTEGRATED MOVING-GATE TRANSDUCER WITH SILICON AS A FUNCTIONAL LAYER

A semiconductor device includes a substrate, a first dielectric layer located above the substrate, a moving-gate transducer, and a proof mass. The moving-gate transducer is at least partially formed within the substrate and is at least partially formed within the first dielectric layer. The proof mass includes a portion of the first dielectric layer and a portion of a silicon layer. The silicon layer is located above the first dielectric layer. L'invention concerne un dispositif semiconducteur qui comprend un substrat, une première couche diélectrique située au dessus du substrat, un transducteur à porte mobile, et une masse d'épreuve. Le transducteur à porte mobile est au moins partiellement formé à l'intérieur du substrat et au moins partiellement formé à l'intérieur de la première couche diélectrique. La masse d'épreuve comprend une partie de la première couche diélectrique et une partie d'une couche de silicium. La couche de silicium est située au dessus de la première couche diélectrique.