PLASMA CVD DEVICE

Provided is a plasma CVD device (C1) that can make possible use of a large film forming roll for achieving a high film forming rate, effective use of raw material gas, and stable forming of a film over a long period of time. This device is provided with: first and second film forming rolls (1, 2); a vacuum chamber (4); first and second rectifying units (11, 12) that form first and second spaces (13, 14) between the first and second film forming rolls (1, 2) and rectify the raw material gas flow in the first and second spaces (13, 14) such that the same follows the surface of a base material (W) wrapped around the film forming rolls (1, 2); and a linking unit (15) that links the plasmas formed in both spaces (13, 14) to each other by linking the first and second spaces (13, 14) with each other. La présente invention concerne un dispositif CVD à plasma (C1) qui peut utiliser un grand rouleau de formation de film pour obtenir une vitesse de formation de film élevée, utilise efficacement une matière première gazeuse, et forme de façon stable un film pendant une longue durée. Ce dispositif comprend : des premier et deuxième rouleaux de formation de films (1, 2) ; une chambre à vide (4) ; des première et deuxième unités de rectification (11, 12) qui forment des premier et deuxième espaces (13, 14) entre les premier et deuxième rouleaux de formation de film (1, 2) et rectifient le flux de gaz de matière première dans les premier et deuxième espaces (13, 14) de telle sorte que celui-ci suive la surface d'un matériau de base (W) enroulé autour des rouleaux de formation de film (1, 2) ; et une unité de liaison (15) qui relie les plasmas formés dans les deux espaces (13, 14) l'un à l'autre en reliant les premier et deuxième espaces (13, 14) l'un à l'autre.