THIN FILM THERMOELECTRIC DEVICES HAVING FAVORABLE CRYSTAL TILT

A method of fabricating a thermoelectric device includes providing a substrate having a plurality of inclined growth surfaces protruding from a surface thereof. Respective thermoelectric material layers are grown on the inclined growth surfaces, and the respective thermoelectric material layers coalesce to collectively define a continuous thermoelectric film. A surface of the thermoelectric film opposite the surface of the substrate may be substantially planar, and a crystallographic orientation of the thermoelectric film may be tilted at an angle of about 45 degrees or less relative to a direction along a thickness thereof. Related devices and fabrication methods are also discussed. La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif thermoélectrique qui comprend l'étape consistant à fournir un substrat possédant une pluralité de surfaces de croissance inclinées dépassant d'une surface associée. Des couches de matériau thermoélectrique respectives sont mises à croître sur les surfaces de croissance inclinées, et les couches de matériau thermoélectrique respectives coalescent pour définir collectivement un film thermoélectrique continu. Une surface du film thermoélectrique opposée à la surface du substrat peut être sensiblement plane, et une orientation cristallographique du film thermoélectrique peut être inclinée selon un angle inférieur ou égal à 45 degrés environ par rapport à une direction le long d'une épaisseur associée. La présente invention porte également sur des dispositifs et des procédés de fabrication associés.