PROTECTIVE COVER FOR A COPPER CONTAINING CONDUCTOR

The method of manufacturing a solar cell comprises the steps of: (a) providing the semiconductor substrate in a deposition chamber of a vapour deposition apparatus, which semiconductor substrate comprises a passivation layer at a first side thereof, which passivation layer is patterned to define contact areas at which the copper-containing conductor is present; (b) supplying a gaseous silicon species into the deposition chamber, resulting in the formation of a surface layer of a copper silicide on a surface of the copper- containing conductor and in the formation of amorphous silicon on top of the passivation layer, and (c) providing a protective layer of an insulating silicon compound on the surface layer, wherein the protective cover comprising both the surface layer and the protective layer. L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire dont les étapes consistent : (a) à produire un substrat semi-conducteur dans une chambre de dépôt d'un appareil de dépôt en phase vapeur, ledit substrat semi-conducteur comprenant une couche de passivation sur son premier côté, ladite couche de passivation comportant un motif pour définir des zones de contact sur lesquelles est présent le conducteur contenant du cuivre ; (b) à injecter une espèce de silicium gazeux dans la chambre de dépôt, entraînant la formation d'une couche de surface de siliciure de cuivre sur une surface du conducteur contenant du cuivre et la formation de silicium amorphe sur le dessus de la couche de passivation ; et (c) à produire une couche protectrice d'un composé de silicium isolant sur la couche de surface, la couverture protectrice comprenant aussi bien la couche de surface que la couche protectrice.