METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA IN A SUBSTRATE

The invention relates to a method for forming an electrically conductive via in a substrate and such a substrate comprising an electrically conductive, said method comprising the steps, to be performed in suitable sequence, of: a) providing a first substrate as said substrate; b) forming a through hole in said first substrate; c) providing a second substrate; d) bringing a first surface of said second substrate into contact with said first surface of said first substrate, such that said through hole in said first substrate is covered by said first surface of said second substrate; e) filling said through hole in said first substrate with an electrically conductive material by means of electroplating for forming said electrically conductive via, and f) removing said second substrate, wherein said first surface of said first substrate and said first surface of said second substrate each have a surface roughness R a of less than 2nm, preferably less than 1 nm, more preferably less than 0.5 nm, and in that in step (d) said first surface of said first substrate and said first surface of said second substrate are brought in direct contact with each other, such that a direct bond is formed there between. L'invention concerne un procédé de formation d'un trou d'interconnexion électroconducteur dans un substrat et un tel substrat comprenant un électroconducteur, ledit procédé comprenant les étapes, à réaliser en séquence appropriée, de : a) fourniture d'un premier substrat en tant que dit substrat ; b) formation d'un trou traversant dans ledit premier substrat ; c) fourniture d'un second substrat ; d) apport d'une première surface dudit second substrat en contact avec ladite première surface dudit premier substrat, de telle sorte que ledit trou traversant dans ledit premier substrat est recouvert par ladite première surface dudit second substrat ; e) remplissage dudit trou traversant dans ledit premier substrat avec un matériau électroconducteur par électrodéposition pour former ledit trou d'interconnexion électroconducteur, et f) retrait dudit second substrat, ladite première surface dudit premier substrat et ladite première surface dudit second substrat ayant chacune une rugosité de surface Ra inférieure à 2 nm, de préférence inférieure à 1 nm, plus préférentiellement inférieure à 0,5 nm, et en ce que dans l'étape (d) ladite première surface dudit premier substrat et ladite première surface dudit second substrat étant amenées en contact direct l'une avec l'autre,