ISOLATION COMPONENTS FOR TRANSISTORS FORMED ON FIN FEATURES OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES

In an embodiment, an apparatus includes a substrate including a surface having a planar portion and a fin feature extending in a direction substantially perpendicular to the planar portion and having a thickness less than a thickness of the substrate. The apparatus also includes a first transistor that includes a first gate region formed over the fin feature, a first source region formed from a body of the fin feature, and a first drain region formed from the body of the fin feature. Additionally, the apparatus includes a second transistor that includes a second gate region formed over the fin feature, a second source region formed from the body of the fin feature, and a second drain region formed from the body of the fin feature. Further, the apparatus includes an isolation component formed between the first transistor and the second transistor, where the isolation component has a width less than 30 nm. Dans un mode de réalisation, un appareil comprend un substrat comportant une surface possédant une partie plane et un élément de type ailette s'étendant dans un sens sensiblement perpendiculaire à la partie plane et possédant une épaisseur inférieure à celle du substrat. L'appareil comprend également un premier transistor qui comprend une première région de grille formée au-dessus de l'élément de type ailette, une première région de source formée à partir d'un corps de l'élément de type ailette, et une première région de drain formée dans le corps de l'élément de type ailette. L'appareil comporte également un second transistor qui comprend une première région de grille formée au-dessus de l'élément de type ailette, une seconde région de source formée à partir d'un corps de l'élément de type ailette, et une seconde région de drain formée dans le corps de l'élément de type ailette. En outre, l'appareil comprend un composant d'isolation formé entre le premier transistor et le second transistor, le composant d'isolation possédant une largeur inférieure à 30 nm.