SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A semiconductor device disclosed in the present description is provided with a semiconductor substrate, and a plurality of trench gates, which extend in the first direction, and which are disposed in the second direction at intervals, said second direction being orthogonal to the first direction. Each of the trench gates has: a first portion opened in the front surface of the semiconductor substrate; a second portion that is extending in the direction tilted to the positive direction of the second direction with respect to the depth direction of the semiconductor substrate, said second portion extending from the first portion; and a third portion that is extending in the direction tilted to the negative direction of the second direction with respect to the depth direction of the semiconductor substrate, said third portion extending from the first portion. La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteur qui est équipé d'un substrat semi-conducteur et d'une pluralité de grilles de tranchée, qui s'étendent dans la première direction et qui sont disposées dans la seconde direction à intervalles les unes des autres, ladite seconde direction étant orthogonale à la première direction. Chacune des grilles de tranchée est dotée : d'une première partie qui est ouverte dans la surface avant du substrat semi-conducteur ; d'une deuxième partie qui s'étend dans la direction inclinée vers la direction positive de la seconde direction par rapport à la direction de la profondeur du substrat semi-conducteur, ladite deuxième partie s'étendant à partir de la première partie ; et d'une troisième partie qui s'étend dans la direction inclinée vers la direction négative de la seconde direction par rapport à la direction de la profondeur du substrat semi-conducteur, ladite troisième partie s'étendant à partir de la première partie.