MEMORY DEVICE WITH TIMING OVERLAP MODE

In some examples, a memory device is configured to receive a precharge command and an activate command. The memory device performs a first series of events related to the precharge command in response to receiving the precharge command and a second series of events related to the activate command in...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: ANDRE, THOMAS, LIN, HALBERT S, ALAM, SYED M
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:In some examples, a memory device is configured to receive a precharge command and an activate command. The memory device performs a first series of events related to the precharge command in response to receiving the precharge command and a second series of events related to the activate command in response to receiving the activate command. The memory device delays the start of the second series of events until the first series of events completes. Dans certains exemples, un dispositif mémoire est configuré pour recevoir une commande de précharge et une commande d'activation. Le dispositif mémoire effectue une première série d'événements relatifs à la commande de précharge en réponse à la réception de la commande de précharge, et une seconde série d'événements relatifs à la commande d'activation en réponse à la réception de la commande d'activation. Le dispositif mémoire retarde le début de la deuxième série d'événements jusqu'à ce que la première série d'événements se termine.