SHEET OF SEMICONDUCTING MATERIAL, SYSTEM FOR FORMING SAME, AND METHOD OF FORMING SAME

A method of forming a sheet of semiconductor material utilizes a system. The system comprises a first convex member extending along a first axis and capable of rotating about the first axis and a second convex member spaced from the first convex member and extending along a second axis and capable o...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MAZUMDER, PRANTIK, BLANDING, DOUGLASS LANE, SUMAN, BALRAM, SONI, KAMAL KISHORE, COOK, GLEN BENNETT, BISWAS, SAMIR
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A method of forming a sheet of semiconductor material utilizes a system. The system comprises a first convex member extending along a first axis and capable of rotating about the first axis and a second convex member spaced from the first convex member and extending along a second axis and capable of rotating about the second axis. The first and second convex members define a nip gap therebetween. The method comprises applying a melt of the semiconductor material on an external surface of at least one of the first and second convex members to form a deposit on the external surface of at least one of the first and second convex members. The method further comprises rotating the first and second convex members in a direction opposite one another to allow for the deposit to pass through the nip gap, thereby forming the sheet of semiconductor material. L'invention concerne un procédé de formation d'une feuille de matériau semi-conducteur au moyen d'un système associé. Ce système comprend un premier élément convexe s'étendant le long d'un premier axe et pouvant tourner autour de ce premier axe, ainsi qu'un deuxième élément convexe, espacé du premier élément, s'étendant le long d'un deuxième axe et pouvant tourner autour de ce deuxième axe. Les premier et deuxième éléments convexes définissent entre eux un écartement. Le procédé selon l'invention consiste à appliquer un bain fondu du matériau semi-conducteur sur une surface externe du premier ou du deuxième élément convexe au moins, de sorte à former un dépôt sur ladite surface. Le procédé consiste également à faire tourner les premier et deuxième éléments convexes dans des sens opposés pour permettre au dépôt de passer à travers l'écartement, ce qui forme la feuille de matériau semi-conducteur.