METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRON SOURCE

Conventional methods for processing a chip tend not to yield chips with a designated dimension of tip shape, and thus cannot yield a chip with any number of desired diameters. Also, there is a possibility that impurities may adhere to the chip. In the present invention, a chip is processed by controlling an applied voltage to acquire a desired tip diameter using the relationship between the tip diameter of the chip and the applied voltage or enclosure time while processing the tip of the chip. Thereby, it is possible to manufacture a chip with any desired diameter using the sharpened tip of a tungsten single-crystal thin wire having a diameter between 0.1 μm and 2.0 μm, inclusive. Des procédés classiques de traitement d'une puce n'ont pas tendance à produire des puces présentant une dimension désignée de forme en pointe et, de ce fait, ne permettent pas de produire une puce présentant un nombre quelconque de diamètres souhaités. Par ailleurs, il existe la possibilité que des impuretés puissent adhérer à la puce. Selon la présente invention, une puce est traitée par régulation d'une tension appliquée en vue d'obtenir un diamètre de pointe souhaité en utilisant la relation entre le diamètre de pointe de la puce et la tension ou le temps de blindage appliqué lors du traitement de la pointe de la puce. Il est ainsi possible de fabriquer une puce présentant un diamètre souhaité quelconque à l'aide d'une pointe vive d'un fil mince monocristallin de tungstène présentant un diamètre compris entre 0,1 μm et 2,0 μm inclus.