CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND METHOD
In one embodiment, a method of forming a MEMS device includes providing a silicon wafer with a base layer and an intermediate layer above an upper surface of the base layer. A first electrode is defined in the intermediate layer and an oxide portion is provided above an upper surface of the intermed...
Gespeichert in:
Hauptverfasser: | , |
---|---|
Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
Schlagworte: | |
Online-Zugang: | Volltext bestellen |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Schreiben Sie den ersten Kommentar!