CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND METHOD

In one embodiment, a method of forming a MEMS device includes providing a silicon wafer with a base layer and an intermediate layer above an upper surface of the base layer. A first electrode is defined in the intermediate layer and an oxide portion is provided above an upper surface of the intermed...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GRAHAM, ANDREW, B, FEYH, ANDO
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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