CAPACITIVE PRESSURE SENSOR AND METHOD

In one embodiment, a method of forming a MEMS device includes providing a silicon wafer with a base layer and an intermediate layer above an upper surface of the base layer. A first electrode is defined in the intermediate layer and an oxide portion is provided above an upper surface of the intermediate layer. A cap layer is provided on an upper surface of the oxide portion and a second electrode is defined in the cap layer. The method further includes etching the oxide portion to form a cavity such that when the second electrode and the cavity are projected onto the intermediate layer, the projected second electrode encompasses the projected cavity. Selon un mode de réalisation de l'invention, un procédé de formation d'un dispositif MEMS comprend l'utilisation d'une tranche de silicium ayant une couche de base et une couche intermédiaire au-dessus d'une surface supérieure de la couche de base. Une première électrode est définie dans la couche intermédiaire et une partie d'oxyde est disposée au-dessus d'une surface supérieure de la couche intermédiaire. Une couche d'encapsulation est disposée sur une surface supérieure de la partie d'oxyde et une seconde électrode est définie dans la couche d'encapsulation. Le procédé comprend en outre la gravure de la partie d'oxyde pour former une cavité de telle sorte que, lorsque la seconde électrode et la cavité sont projetées sur la couche intermédiaire, la seconde électrode projetée comprend la cavité projetée.