METHODS AND STRUCTURES FOR FORMING AND PROTECTING THIN FILMS ON SUBSTRATES

A method for forming of a thin film on a substrate is disclosed. The method includes cleaning a process chamber by flowing a first gas having fluorine (402). The method also includes coating the process chamber with a first encapsulating layer including amorphous silicon (A-Si) by flowing a second g...

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WONG, JIA YI, QIU, THOMAS
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	CHEMICAL SURFACE TREATMENT CHEMISTRY COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATIONOR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY IONIMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL COATING METALLIC MATERIAL DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION INGENERAL METALLURGY SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THESURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for forming of a thin film on a substrate is disclosed. The method includes cleaning a process chamber by flowing a first gas having fluorine (402). The method also includes coating the process chamber with a first encapsulating layer including amorphous silicon (A-Si) by flowing a second gas for a first duration, where the first encapsulating layer protects against fluorine contamination (404). The method further includes loading a substrate into the process chamber (406), depositing a thin film on the substrate by flowing a third gas into the process chamber (408) and unloading the substrate from the process chamber (410). The thin film can include silicon nitride (SiN), the first gas can include nitrogen triflouride (NF3) gas and second gas can include silane (SiH4) gas. The thin film can be formed using plasma-enhanced chemical vapor deposition. The substrate can be a solar cell or a liquid crystal display (LCD). L'invention divulgue un procédé pour former un film mince sur un substrat. Le procédé comprend le nettoyage d'une chambre de traitement par l'écoulement d'un premier gaz contenant du fluor (402). Le procédé comprend également le revêtement de la chambre de traitement avec une première couche d'enrobage contenant du silicium amorphe (A-Si) par l'écoulement d'un deuxième gaz pendant une première durée, la première couche d'enrobage assurant une protection contre la contamination au fluor (404). Le procédé comprend en outre le chargement d'un substrat dans la chambre de traitement (406), le dépôt d'un film mince sur le substrat par l'écoulement d'un troisième gaz dans la chambre de traitement (408), et le déchargement du substrat hors de la chambre de traitement (410). Le film mince peut comprendre du nitrure de silicium (SiN), le premier gaz peut comprendre un gaz de trifluorure d'azote (NF3), et le deuxième gaz peut comprendre un gaz de silane (SiH4). Le film mince peut être formé en exécutant un dépôt chimique en phase vapeur renforcé au plasma. Le substrat peut être une cellule solaire ou un écran d'affichage à cristaux liquides (LCD).