PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

A photoelectric conversion element (10) comprising an i layer (43) that is an intrinsic amorphous semiconductor layer formed in the back surface side of a substrate (40), said substrate being a crystalline semiconductor layer, a p layer (44) that is a p-type amorphous semiconductor layer formed on the i layer (43), and a TCO (46) that is a transparent conductive film layer formed on the p layer (43), wherein the boron (B) concentration in the thickness direction of the p layer (43) has a peak position (X2) that is located closer to the i layer (43) than the interface position (X4) with the TCO (46). The B concentration may decrease from the peak position (X2) toward the interface position (X4) with the TCO (56) either step-by-step, gradually or stepwise. When the substrate (40) is in the n-type, it is preferred that, in the light receiving surface side thereof, the i layer that is an intrinsic amorphous semiconductor layer, an n layer that is an n-type amorphous semiconductor layer formed on the i layer, and the TCO that is a transparent conductive film layer formed on the n layer are arranged so that the peak position of the phosphorus (P) concentration of the n layer is located in the side of the n-type substrate (40) with the i layer interposed. L'invention concerne un élément de conversion photoélectrique (10) qui comprend une couche i (43) qui est une couche de semi-conducteur amorphe intrinsèque formée dans le côté de surface arrière d'un substrat (40), ledit substrat étant une couche de semi-conducteur cristallin, une couche p (44) qui est une couche de semi-conducteur amorphe de type p formée sur la couche i (43), et un TCO (46) qui est une couche de film conducteur transparent formée sur la couche p (43), la concentration en bore (B) dans la direction de l'épaisseur de la couche p (43) ayant une position de pic (X2) qui est située plus proche de la couche i (43) que de la position d'interface (X4) avec le TCO (46). La concentration en bore peut diminuer à partir de la position de pic (X2) vers la position d'interface (X4) avec le TCO (56) soit étape par étape, soit graduellement soit de manière étagée. Lorsque le substrat (40) est de type n, il est préférable que, dans le côté de surface de réception de lumière de celui-ci, la couche i qui est une couche de semi-conducteur amorphe intrinsèque, une couche n qui est une couche de semi-conducteur amorphe de type n formée sur la couche i, et le TCO qui est une couche de film conducteur transparent for