PHOTODIODE DEVICE WITH A FIELD ELECTRODE FOR REDUCING THE SPACE CHARGE REGION
The photodiode device comprises a doped region (2) contiguous with a contact region (3) of the same conductivity type located at the substrate surface (1'), an appertaining anode or cathode connection (7, 11), a further contact region (5) of an opposite conductivity type at the substrate surfac...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | The photodiode device comprises a doped region (2) contiguous with a contact region (3) of the same conductivity type located at the substrate surface (1'), an appertaining anode or cathode connection (7, 11), a further contact region (5) of an opposite conductivity type at the substrate surface, and a further anode or cathode connection (8, 12). The contact region (3) is arranged at least on opposite sides of an active area of the substrate surface that covers the further contact region (5). A lateral pn junction (16) and an associated space charge region is formed at the substrate surface by a boundary of one of the contact regions, the boundary facing the other contact region. A field electrode (6) is arranged above the lateral pn junction, separated from the lateral pn junction by a dielectric material (10), and is provided with a further electrical connection (9, 13) separate from the anode and cathode connections. By the field electrode (6), the space charge region at the surface (1') is reduced and the peripheral dark current of the photodiode decreases considerably.
L'invention concerne un dispositif à photodiode qui comporte une région dopée (2) contiguë à une région de contact (3) du même type de conductivité, située à la surface du substrat (1'), une connexion d'anode ou de cathode attenante (7, 11), une autre région de contact (5) d'un type de conductivité opposé, située à la surface du substrat, et une autre connexion d'anode ou de cathode (8, 12). La région de contact (3) est organisée sur au moins deux côtés opposés d'une zone active de la surface du substrat qui couvre l'autre région de contact (5). Une jonction pn latérale (16) et une région de charge d'espace associée sont formées à la surface du substrat par la limite d'une des régions de contact, la limite faisant face à l'autre région de contact. Une électrode de champ (6) est agencée au-dessus de la jonction pn latérale, séparée de la jonction pn latérale par un matériau diélectrique (10) et pourvue d'une autre connexion électrique (9, 13) distincte de la connexion d'anode et de la connexion de cathode. Grâce à l'électrode de champ (6), la région en charge d'espace à la surface (1') est réduite et le courant d'obscurité périphérique de la photodiode diminue considérablement. |
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