BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES

Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the sur...

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Hauptverfasser: CORWINE, CAROLINE RAE, SADEGHI, MEHRAN, TRENTLER, TIMOTHY JOHN, CLARK, LAURA ANNE, METZGER, WYATT KEITH, COLE, MICHAEL CHRISTOPHER, LUCAS, TAMMY JANE
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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container_end_page
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creator CORWINE, CAROLINE RAE
SADEGHI, MEHRAN
TRENTLER, TIMOTHY JOHN
CLARK, LAURA ANNE
METZGER, WYATT KEITH
COLE, MICHAEL CHRISTOPHER
LUCAS, TAMMY JANE
description Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid. L'invention concerne des procédés de fabrication d'un contact arrière sur un dispositif photovoltaïque en couches minces. Le procédé peut comprendre : l'application d'une pâte conductrice sur une surface définie par une couche d'absorbeur de type p (de tellurure de cadmium) d'une jonction p-n ; le durcissement de la pâte conductrice pour former un revêtement conducteur sur la surface de telle sorte que, pendant le durcissement, un acide provenant de la pâte conductrice réagit pour enrichir la surface avec du tellure mais est sensiblement consommé pendant le durcissement. La pâte conductrice peut comporter un matériau conducteur, un système de solvant facultatif et un liant. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques en couches minces, tels que ceux qui possèdent un revêtement conducteur qui ne contient sensiblement pas d'acide.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_WO2014036485A3</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>WO2014036485A3</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_WO2014036485A33</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNyrEKwjAQgOEsDqK-w4GzUE0V13heyWGaK-3RjqVInEQL9f1RxAdw-f_lmxs5ObwASlSHCpVrlKBj9aAJKNaMvqSoX1BLAI6g_pOCQwmVF5VWgjpGOFPLSM3SzG7DfUqr3xdmXZCi36Tx2adpHK7pkV59J7tsm2f2kB_3ztr_1Bv6Mi-6</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES</title><source>esp@cenet</source><creator>CORWINE, CAROLINE RAE ; SADEGHI, MEHRAN ; TRENTLER, TIMOTHY JOHN ; CLARK, LAURA ANNE ; METZGER, WYATT KEITH ; COLE, MICHAEL CHRISTOPHER ; LUCAS, TAMMY JANE</creator><creatorcontrib>CORWINE, CAROLINE RAE ; SADEGHI, MEHRAN ; TRENTLER, TIMOTHY JOHN ; CLARK, LAURA ANNE ; METZGER, WYATT KEITH ; COLE, MICHAEL CHRISTOPHER ; LUCAS, TAMMY JANE</creatorcontrib><description>Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid. L'invention concerne des procédés de fabrication d'un contact arrière sur un dispositif photovoltaïque en couches minces. Le procédé peut comprendre : l'application d'une pâte conductrice sur une surface définie par une couche d'absorbeur de type p (de tellurure de cadmium) d'une jonction p-n ; le durcissement de la pâte conductrice pour former un revêtement conducteur sur la surface de telle sorte que, pendant le durcissement, un acide provenant de la pâte conductrice réagit pour enrichir la surface avec du tellure mais est sensiblement consommé pendant le durcissement. La pâte conductrice peut comporter un matériau conducteur, un système de solvant facultatif et un liant. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques en couches minces, tels que ceux qui possèdent un revêtement conducteur qui ne contient sensiblement pas d'acide.</description><language>eng ; fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>2015</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20150716&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2014036485A3$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76289</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=20150716&amp;DB=EPODOC&amp;CC=WO&amp;NR=2014036485A3$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>CORWINE, CAROLINE RAE</creatorcontrib><creatorcontrib>SADEGHI, MEHRAN</creatorcontrib><creatorcontrib>TRENTLER, TIMOTHY JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>CLARK, LAURA ANNE</creatorcontrib><creatorcontrib>METZGER, WYATT KEITH</creatorcontrib><creatorcontrib>COLE, MICHAEL CHRISTOPHER</creatorcontrib><creatorcontrib>LUCAS, TAMMY JANE</creatorcontrib><title>BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES</title><description>Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid. L'invention concerne des procédés de fabrication d'un contact arrière sur un dispositif photovoltaïque en couches minces. Le procédé peut comprendre : l'application d'une pâte conductrice sur une surface définie par une couche d'absorbeur de type p (de tellurure de cadmium) d'une jonction p-n ; le durcissement de la pâte conductrice pour former un revêtement conducteur sur la surface de telle sorte que, pendant le durcissement, un acide provenant de la pâte conductrice réagit pour enrichir la surface avec du tellure mais est sensiblement consommé pendant le durcissement. La pâte conductrice peut comporter un matériau conducteur, un système de solvant facultatif et un liant. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques en couches minces, tels que ceux qui possèdent un revêtement conducteur qui ne contient sensiblement pas d'acide.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>2015</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyrEKwjAQgOEsDqK-w4GzUE0V13heyWGaK-3RjqVInEQL9f1RxAdw-f_lmxs5ObwASlSHCpVrlKBj9aAJKNaMvqSoX1BLAI6g_pOCQwmVF5VWgjpGOFPLSM3SzG7DfUqr3xdmXZCi36Tx2adpHK7pkV59J7tsm2f2kB_3ztr_1Bv6Mi-6</recordid><startdate>20150716</startdate><enddate>20150716</enddate><creator>CORWINE, CAROLINE RAE</creator><creator>SADEGHI, MEHRAN</creator><creator>TRENTLER, TIMOTHY JOHN</creator><creator>CLARK, LAURA ANNE</creator><creator>METZGER, WYATT KEITH</creator><creator>COLE, MICHAEL CHRISTOPHER</creator><creator>LUCAS, TAMMY JANE</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>20150716</creationdate><title>BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES</title><author>CORWINE, CAROLINE RAE ; SADEGHI, MEHRAN ; TRENTLER, TIMOTHY JOHN ; CLARK, LAURA ANNE ; METZGER, WYATT KEITH ; COLE, MICHAEL CHRISTOPHER ; LUCAS, TAMMY JANE</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_WO2014036485A33</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>eng ; fre</language><creationdate>2015</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>CORWINE, CAROLINE RAE</creatorcontrib><creatorcontrib>SADEGHI, MEHRAN</creatorcontrib><creatorcontrib>TRENTLER, TIMOTHY JOHN</creatorcontrib><creatorcontrib>CLARK, LAURA ANNE</creatorcontrib><creatorcontrib>METZGER, WYATT KEITH</creatorcontrib><creatorcontrib>COLE, MICHAEL CHRISTOPHER</creatorcontrib><creatorcontrib>LUCAS, TAMMY JANE</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>CORWINE, CAROLINE RAE</au><au>SADEGHI, MEHRAN</au><au>TRENTLER, TIMOTHY JOHN</au><au>CLARK, LAURA ANNE</au><au>METZGER, WYATT KEITH</au><au>COLE, MICHAEL CHRISTOPHER</au><au>LUCAS, TAMMY JANE</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES</title><date>2015-07-16</date><risdate>2015</risdate><abstract>Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid. L'invention concerne des procédés de fabrication d'un contact arrière sur un dispositif photovoltaïque en couches minces. Le procédé peut comprendre : l'application d'une pâte conductrice sur une surface définie par une couche d'absorbeur de type p (de tellurure de cadmium) d'une jonction p-n ; le durcissement de la pâte conductrice pour former un revêtement conducteur sur la surface de telle sorte que, pendant le durcissement, un acide provenant de la pâte conductrice réagit pour enrichir la surface avec du tellure mais est sensiblement consommé pendant le durcissement. La pâte conductrice peut comporter un matériau conducteur, un système de solvant facultatif et un liant. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques en couches minces, tels que ceux qui possèdent un revêtement conducteur qui ne contient sensiblement pas d'acide.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language eng ; fre
recordid cdi_epo_espacenet_WO2014036485A3
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-07T05%3A10%3A59IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=CORWINE,%20CAROLINE%20RAE&rft.date=2015-07-16&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EWO2014036485A3%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true