BACK CONTACT PASTE WITH Te ENRICHMENT CONTROL IN THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICES

Methods for forming a back contact on a thin film photovoltaic device are provided. The method can include: applying a conductive paste onto a surface defined by a p-type absorber layer (of cadmium telluride) of a p-n junction; and, curing the conductive paste to form a conductive coating on the surface such that during curing an acid from the conductive paste reacts to enrich the surface with tellurium but is substantially consumed during curing. The conductive paste can comprises a conductive material, an optional solvent system, and a binder. Thin film photovoltaic devices are also provided, such as those that have a conductive coating that is substantially free from an acid. L'invention concerne des procédés de fabrication d'un contact arrière sur un dispositif photovoltaïque en couches minces. Le procédé peut comprendre : l'application d'une pâte conductrice sur une surface définie par une couche d'absorbeur de type p (de tellurure de cadmium) d'une jonction p-n ; le durcissement de la pâte conductrice pour former un revêtement conducteur sur la surface de telle sorte que, pendant le durcissement, un acide provenant de la pâte conductrice réagit pour enrichir la surface avec du tellure mais est sensiblement consommé pendant le durcissement. La pâte conductrice peut comporter un matériau conducteur, un système de solvant facultatif et un liant. L'invention concerne également des dispositifs photovoltaïques en couches minces, tels que ceux qui possèdent un revêtement conducteur qui ne contient sensiblement pas d'acide.