SEMICONDUCTOR DEVICE WITH JFET WIDTH DEFINED BY TRENCH ISOLATION

A semiconductor device having a junction field-effect transistor (JFET) (100) includes a substrate (105) having a first-type semiconductor surface (106) including a topside surface (106a), and a top gate (110) of a second-type formed in the semiconductor surface. A first-type drain (120) and a first-type source (115) are formed on opposing sides of the top gate. A first deep trench isolation region (125) has an inner first trench wall (125a) and an outer first trench wall (125b) surrounding the top gate, the drain and the source, and extends vertically to a deep trench depth (139) from the topside surface. A second-type sinker (135) formed in semiconductor surface extends laterally outside the outer first trench wall. The sinker extends vertically from the topside surface to a second-type deep portion which is both below the deep trench depth and laterally inside the inner first trench wall to provide a bottom gate. La présente invention porte sur un dispositif à semi-conducteurs ayant un transistor à effet de champ à jonctions (JFET) (100), qui comprend un substrat (105) ayant une surface de semi-conducteur de premier type (106) comprenant une surface de côté supérieur (106a), et une grille supérieure (110) d'un second type formée sur la surface de semi-conducteur. Un drain de premier type (120) et une source de premier type (115) sont formés sur des côtés opposés de la grille supérieure. Une première région de tranchée d'isolation profonde (125) a une première paroi de tranchée intérieure (125a) et une première paroi de tranchée extérieure (125b) entourant la grille supérieure, le drain et la source, et s'étend verticalement vers une profondeur de tranchée profonde (139) depuis la surface de côté supérieur. Un contact profond de second type (135) formé dans une surface de semi-conducteur s'étend latéralement à l'extérieur de la première paroi de tranchée extérieure. Le contact profond s'étend verticalement depuis la surface de côté supérieur vers une partie profonde de second type qui est à la fois sous la profondeur de tranchée profonde et latéralement à l'intérieur de la première paroi de tranchée intérieure pour fournir une grille inférieure.