A CONDUCTIVE JACKET

The present invention relates to a new semiconductive composition, which comprises 50 to 98 weight percentage (wt%) of a polymer blend, 2 to 50 wt% of a conductive filler and 0.05 to 2 wt% of an antioxidant; wherein said polymer blend comprises 10 to 99 wt% of a multimodal high density polyolefin, which high density polyolefin has a density which is from 930 to 970 kg/m3 and a melt flow rate (MFR2@190°C) according to ISO 1133 (190°C, 2.16 kg) which is less than 1.6 g/ 10 min, and 1 to 90 wt% of a thermoplastic elastomer, a process for producing a semiconductive composition, and a semiconductive jacket comprising the semiconductive composition, and a power cable comprising the semiconductive jacket or comprising the semiconductive composition, or use of a semiconductive jacket or a semiconductive composition in, for example, a power cable. La présente invention concerne une nouvelle composition à semi-conducteurs, qui comprend de 50 % à 98 % en poids (wt%) d'un mélange de polymère, de 2 wt% à 50 wt% d'une charge conductrice et de 0,05 wt% à 2 wt% d'un anti-oxydant ; le mélange de polymère comprenant de 10 wt% à 99 wt% d'une polyoléfine à haute densité multimodale, laquelle présente une densité comprise entre 930 kg/m3 et 970 kg/m3 et un indice de fluidité à chaud (MFR2@190 °C) selon la norme ISO 1133 (190 °C, 2,16 kg) inférieur à 1,6 g/10 mn et de 1 wt% à 90 wt% d'un élastomère thermoplastique, un procédé de production d'une composition à semi-conducteurs, ainsi qu'une gaine à semi-conducteurs contenant la composition à semi-conducteurs, ainsi qu'un câble d'alimentation comprenant la gaine à semi-conducteurs ou comprenant la composition à semi-conducteurs ou l'utilisation d'une gaine à semi-conducteurs ou d'une composition à semi-conducteurs dans, par exemple, un câble d'alimentation.