METHOD FOR FORMING DIELECTRIC LAYER USING ICVD

The present invention relates to a method for forming a dielectric layer using iCVD. According to the present invention, the method for forming a dielectric layer on an organic thin film transistor using iCVD comprises the steps of: thermally decomposing an initiator by the heat injected on the organic thin film transistor to form free radicals; activating monomers by using the free radicals to form a polymer by chain polymerizing the monomers; and depositing the polymer on the organic thin film transistor to form a polymer dielectric layer. According to the present invention, it is possible to solve, through iCVD, a shortcoming of a narrow width of a dielectric layer prepared by PECVD or CVD, and carry out uniform deposition compared with a conventional process, and a very low leakage current is shown in various thickness, thereby having remarkable electrical properties through a high dielectric constant, and the manufacturing yield of a device is high. In addition, it is possible to prevent damage to a deposition medium due to a solvent since a desired polymer dielectric layer can be deposited with monomers and an initiator in a vapor phase condition without a solvent, particularly, an organic solvent. La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche diélectrique par iCVD. Selon la présente invention, le procédé de formation d'une couche diélectrique sur un transistor à couche mince organique par iCVD fait appel aux étapes consistant : à décomposer thermiquement un initiateur par de la chaleur injectée sur le transistor à couche mince organique pour former des radicaux libres ; à activer des monomères à l'aide des radicaux libres pour former un polymère par polymérisation en chaîne des monomères ; et à déposer le polymère sur le transistor à couche mince organique pour former une couche diélectrique polymère. Selon la présente invention, il est possible de résoudre, par un traitement iCVD, l'inconvénient relatif à une faible épaisseur d'une couche diélectrique préparée par PECVD ou CVD, et d'exécuter un dépôt uniforme par comparaison avec un traitement classique, et un courant de fuite très faible étant présent dans diverses épaisseurs, en obtenant ainsi d'excellentes propriétés électriques par une constante diélectrique élevée et un haut rendement de fabrication de dispositif. Il est de plus possible d'empêcher tout endommagement d'un support de dépôt dû à un solvant puisque l'on peut déposer une couche diélectrique polymère souhaitée