SEMI-CONDUCTOR COMPONENT WITH A PASSIVATION LAYER MADE FROM HYDROGENATED ALUMINIUM NITRIDE AND METHOD FOR SURFACE PASSIVATION OF SEMI-CONDUCTOR COMPONENTS

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Basisemitter und elektrischen Kontakten sowie mind. einer Passivierungsschicht, die aus hydriertem Aluminiumnitrid besteht oder dieses im Wesentlichen enthält. Ebenso betrifft die Erfindung ein entsprechendes Verfahren zur Oberflächenpassivierung v...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	WAGNER, FLORIAN, KRUGEL, GEORG, WOLKE, WINFRIED
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
Online-Zugang:	Volltext bestellen
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit Basisemitter und elektrischen Kontakten sowie mind. einer Passivierungsschicht, die aus hydriertem Aluminiumnitrid besteht oder dieses im Wesentlichen enthält. Ebenso betrifft die Erfindung ein entsprechendes Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Halbleiterbauelementen. The invention relates to a semi-conductor component comprising a base emitter, electric contacts and at least one passivation layer which is made of hydrogenated aluminum nitride or contains essentially said latter. The invention also relates to a corresponding method for the surface passivation of semi-conductor components. Composant à semi-conducteur qui comporte un émetteur de base et des contacts électriques ainsi qu'au moins une couche de passivation qui est constituée de nitrure d'aluminium hydrogéné ou qui contient essentiellement ce dernier. La présente invention concerne en outre un procédé correspondant de passivation de surfaces de composants à semi-conducteur.