APPARATUS AND METHOD FOR OPTICALLY INITIATING COLLAPSE OF A REVERSE BIASED P-TYPE-N-TYPE JUNCTION

An optical method of collapsing the electric field of an innovatively fabricated, reverse-biased PN junction causes a semiconductor switch to transition from a current blocking mode to a current conduction mode in a planar electron avalanche. This switch structure and the method of optically initiating the switch closure is applicable to conventional semiconductor switch configurations that employ a reverse-biased PN junction, including, but not limited to, thyristors, bipolar transistors, and insulated gate bipolar transistors. L'invention concerne un procédé optique d'affaissement du champ électrique d'une jonction PN polarisée en sens inverse fabriquée de façon innovante provoquant le passage d'un commutateur à semi-conducteur d'un mode de blocage du courant à un mode de conduction du courant dans une avalanche électronique plane. Cette structure de commutateur et le procédé d'engagement optique de la fermeture du commutateur peuvent être appliqués à des configurations de commutateur à semi-conducteur classiques qui emploient une jonction PN polarisée en sens inverse, comprenant, sans s'y limiter, les thyristors, les transistors bipolaires et les transistors bipolaires à grille isolée.