X-RAY RADIATION DETECTOR, CT SYSTEM AND RELATED METHOD

Die Erfindung betrifft einen direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5) zur Detektion von Röntgenstrahlung, insbesondere zur Verwendung in einem CT-System (C1), zumindest aufweisend ein zur Detektion der Röntgenstrahlung verwendetes Halbleitermaterial (1), mindestens einen Kollimator (2), und mindestens eine Strahlungsquelle (6), welche das Halbleitermaterial (1) mit einer zusätzlichen Strahlung bestrahlt, wobei der mindestens eine Kollimator (2) auf einer dem Halbleitermaterial (1) zugewandten Seite mindestens eine Reflexionsschicht (3) aufweist, an welcher die zusätzliche Strahlung auf das Halbleitermaterial (1) reflektiert wird. Weiter betrifft die Erfindung ein CT-System, aufweisend einen direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektor (C3, C5), sowie ein Verfahren zur Detektion einfallender Röntgenstrahlung mittels eines direktkonvertierenden Röntgenstrahlungsdetektors (C3, C5), insbesondere zur Verwendung in einem CT-System (C1), wobei ein zur Detektion verwendetes Halbleitermaterial (1) zur Generation zusätzlicher Ladungsträger mit einer zusätzlichen Strahlung mittels mindestens einer Reflexionsschicht (3) indirekt bestrahlt wird. The invention relates to a direct-converting x-ray radiation detector (C3, C5) for detecting x-ray radiation, in particular for use in a CT system (C1), at least having a semiconductor material (1) used for detecting the x-ray radiation, at least one collimator (2) and at least one radiation source (6), which irradiates the semiconductor material (1) with additional radiation, wherein the at least one collimator (2) has at least one reflection layer (3) on a side facing the semiconductor material (1), on which the additional radiation is reflected to the semiconductor material (1). The invention further relates to a CT system having a direct-converting x-ray radiation detector (C3, C5) and a method for detecting incident x-ray radiation by means of a direct-converting x-ray radiation detector (C3, C5), in particular for use in a CT system (C1), wherein a semiconductor material (1) used for detection is indirectly irradiated with additional radiation by means of at least one reflection layer (3) in order to generate additional charge carriers. L'invention concerne un détecteur de rayons X (C3, C5) à conversion directe pour la détection de rayonnement X, en particulier pour l'utilisation dans un système de CT (C1). Ledit détecteur de rayons X comprend au moins un matériau semi-conducteur (1) utilisé pour la dét