ADAPTIVE GATE DRIVE CIRCUIT WITH TEMPERATUARE COMPENSATION

An adaptive gate drive circuit (320) that can generate a gate bias voltage with temperature compensation for a MOSFET is disclosed. The adaptive gate drive circuit may generate the gate bias voltage with variable drive capability to combat higher gate leakage current of the MOSFET at higher temperat...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: MATHE, LENNART KARL-AXEL, MEHTA, NARENDRA SINGH
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:An adaptive gate drive circuit (320) that can generate a gate bias voltage with temperature compensation for a MOSFET is disclosed. The adaptive gate drive circuit may generate the gate bias voltage with variable drive capability to combat higher gate leakage current of the MOSFET at higher temperature. The apparatus includes a control circuit (340) and a gate drive circuit (350). The control circuit generates at least one control signal having a variable frequency determined based on a temperature of the MOSFET sensed by a temperature sensor (330). For example, a clock divider ratio may be determined based on the sensed temperature of the MOSFET, an input clock signal may be divided based on the clock divider ratio to obtain a variable clock signal, and the control signal(s) may be generated based on the variable clock signal. The gate drive circuit generates a bias voltage for the MOSFET based on the control signal(s). La présente invention se rapporte à un circuit de commande de grille adaptative (320) qui peut générer une tension de polarisation de grille avec compensation de la température pour un MOSFET. Le circuit de commande de grille adaptative peut générer la tension de polarisation de grille avec une capacité de commande variable afin de lutter contre un courant de fuite de grille plus élevé du MOSFET à haute température. L'appareil selon l'invention comprend : un circuit de commande (340) ; et un circuit de commande de grille (350). Le circuit de commande génère au moins un signal de commande ayant une fréquence variable qui est déterminée sur la base d'une température du MOSFET détectée par un capteur de température (330). Par exemple : un rapport de diviseur d'horloge peut être déterminé sur la base de la température détectée du MOSFET ; un signal d'entrée d'horloge peut être divisé sur la base du rapport du diviseur d'horloge, de sorte à obtenir un signal d'horloge variable ; et le ou les signaux de commande peuvent être générés sur la base du signal d'horloge variable. Enfin, le circuit de commande de grille génère une tension de polarisation pour le MOSFET, sur la base du ou des signaux de commande.