MASKED ETCH-BACK METHOD AND PROCESS FOR FABRICATION OF SELECTIVE EMITTER SILICON WAFER SOLAR CELLS

A method for solar cell fabrication is provided. The method includes patterning etch-impeding material formed on an emitter surface of the silicon wafer solar cell to form an etch-impeding mask. The method also includes etching-back the emitter surface of the silicon wafer solar cell with the etch-i...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BASU, PRABIR KANTI, BORELAND, MATTHEW BENJAMIN, SARANGI, DEBAJYOTI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	ADHESIVES BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION ORPROCESSING OF GOODS DYES ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FORELSEWHERE METALLURGY MISCELLANEOUS APPLICATIONS OF MATERIALS MISCELLANEOUS COMPOSITIONS NATURAL RESINS PAINTS POLISHES REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGYGENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINSTCLIMATE CHANGE
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A method for solar cell fabrication is provided. The method includes patterning etch-impeding material formed on an emitter surface of the silicon wafer solar cell to form an etch-impeding mask. The method also includes etching-back the emitter surface of the silicon wafer solar cell with the etch-impeding mask thereon using a solution based on alkaline and oxidising solutions which etches through the etch-impeding PSG mask at a slower rate than it etches through unmasked areas of the emitter surface to form a selective emitter on the silicon wafer solar cell. The etch-impeding material may include a silicate glass material such as phosphosilicate glass (PSG) and borosilicate glass (BSG) and the solution based on alkaline and oxidising solutions may include a solution of potassium hydroxide (KOH) and sodium hypochlorite (NaOCl) solutions. The patterning of the PSG may use an etch-blocking mask which is removed to reveal the patterned PSG before the etching-back step. L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires. Le procédé consiste à tracer un motif sur un matériau entravant la gravure formé sur une surface émettrice de la cellule solaire à plaquette de silicium pour former un masque entravant la gravure. Le procédé consiste aussi à effectuer une gravure arrière de la surface émettrice de la cellule solaire à plaquette de silicium sur laquelle est appliqué le masque entravant la gravure au moyen d'une solution à base et de solutions alkalines et oxydantes qui gravent à travers le masque de VPS entravant la gravure à une vitesse inférieure à celle à laquelle elles gravent à travers les zones non masquées de la surface émettrice pour former un émetteur sélectif sur la cellule solaire à plaquette de silicium. Le matériau entravant la gravure peut comprendre un matériau de verre de silicate, par exemple un verre de phosphosilicate (VPS) et un verre de borosilicate (VBS) et la solution à base de solutions alkalines et oxydantes peut comprendre une solution d'hydroxyde de potassium (KOH) et des solutions d'hypochlorite de sodium (NaOCl). Le traçage de motifs sur le VPS peut utiliser un masque bloquant la gravure qui est retiré pour révéler le VPS à motifs avant l'étape de gravure arrière.