COMPOSITE SUBSTRATE FOR LAYERED HEATERS

A method of forming a heater assembly for use in semiconductor processing includes thermally securing a heater substrate to an application substrate; and applying a layered heater to the heater substrate after the heater substrate is secured to the application substrate. The application of the layered heater includes applying a first dielectric layer onto the heater substrate, applying a resistive heating layer onto the first dielectric layer, and applying a second dielectric layer onto the resistive heating layer. The heater substrate defines a material having a coefficient of thermal expansion that is matched to a coefficient of thermal expansion of at least one of the first dielectric layer and a coefficient of thermal expansion of the resistive heating layer. L'invention concerne un procédé de formation d'un ensemble de chauffage destiné à être utilisé dans un traitement à semi-conducteur, consistant à fixer thermiquement un substrat de chauffage à un substrat d'application, et à appliquer un dispositif de dispositif de chauffage stratifié sur le substrat de dispositif de chauffage une fois le substrat de dispositif de chauffage fixé au substrat d'application. L'application du dispositif de chauffage stratifié consiste à appliquer une première couche diélectrique sur le substrat de dispositif de chauffage et à appliquer une couche de chauffage résistive sur la première couche diélectrique, et à appliquer une seconde couche diélectrique sur la couche de chauffage résistive. Le substrat de dispositif de chauffage définit un matériau présentant un coefficient d'expansion thermique qui correspond à un coefficient d'expansion thermique d'au moins une des premières couches diélectriques et à un coefficient d'expansion thermique de la couche de chauffage résistive.