DIODE LASER BASED BROAD BAND LIGHT SOURCES FOR WAFER INSPECTION TOOLS

Disclosed are methods and apparatus for performing inspection or metrology of a semiconductor device. The apparatus includes a plurality of laser diode arrays that are configurable to provide an incident beam having different wavelength ranges. The apparatus also includes optics for directing the incident beam towards the sample, a detector for generating an output signal or image based on an output beam emanating from the sample in response to the incident beam, and optics for directing the output beam towards the detector. The apparatus further includes a controller for configuring the laser diode arrays to provide the incident beam at the different wavelength ranges and detecting defects or characterizing a feature of the sample based on the output signal or image. L'invention concerne des procédés et un appareil permettant d'effectuer l'inspection ou la métrologie d'un dispositif semi-conducteur. L'appareil comprend une pluralité de matrices de diodes laser qui sont configurables pour produire un faisceau incident ayant des plages de longueurs d'ondes différentes. L'appareil comprend aussi des optiques permettant de diriger le faisceau incident vers l'échantillon, un détecteur permettant de générer un signal ou une image de sortie sur la base d'un faisceau de sortie émanant de l'échantillon en réponse au faisceau incident, et des optiques permettant de diriger le faisceau de sortie vers le détecteur. L'appareil comprend en outre un système de commande permettant de configurer les matrices de diodes laser pour produire le faisceau incident aux plages de longueurs d'ondes différentes et de détecter les défauts ou de caractériser un attribut de l'échantillon sur la base du signal ou de l'image de sortie.