MECHANICAL AND CHEMICAL TEXTURIZATION OF A SILICON SHEET FOR PHOTOVOLTAIC LIGHT TRAPPING

A process for modifying a surface of a cast polycrystalline silicon sheet to decrease the light reflectance of the cast polycrystalline sheet is disclosed. The cast polycrystalline silicon sheet has at least one structural feature resulting from the cast polycrystalline silicon sheet being directly cast to a thickness less than 1000 micrometers. The process comprises grit blasting the surface of the cast polycrystalline silicon sheet to give an abraded surface on the cast polycrystalline silicon sheet. The process further comprises chemically etching the abraded surface of the cast polycrystalline silicon sheet to give a chemically-etched, abraded surface. The light reflectance of the chemically-etched, abraded surface is decreased in comparison to the light reflectance of the surface of the cast polycrystalline silicon sheet before the step of grit blasting. L'invention concerne un traitement de modification d'une surface d'une feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée pour diminuer la réflexion de lumière de la feuille polycristalline obtenue par coulée. La feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée possède au moins une caractéristique structurelle résultant du fait que la feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée a été directement coulée selon une épaisseur inférieure à 1 000 micromètres. Le processus comprend le sablage de la surface de la feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée pour obtenir une surface abrasée sur la feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée. Le traitement comprend en outre la gravure chimique de la surface abrasée de la feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée pour obtenir une surface abrasée chimiquement gravée. La réflexion de lumière de la surface abrasée chimiquement gravée est diminuée par rapport à la réflexion de lumière de la surface de la feuille de silicium polycristallin obtenue par coulée avant l'étape de sablage.