NANO-SCALE VOID REDUCTION

Resist imprinting void reduction method may include sealing a chamber. The chamber may be filled with an ambient inert gas, wherein the inert gas a solubility in a resist layer on a substrate greater than Helium. The method may also include establishing a pressure within the chamber sufficient to cause absorption of the ambient inert gas by the resist layer, and sufficient to suppress evaporation of the resist layer. L'invention concerne un procédé de réduction de vide d'impression de résist qui peut comprendre le scellement d'une chambre. La chambre peut être remplie par un gaz inerte ambiant, le gaz inerte ayant une solubilité dans une couche de résist sur un substrat qui est plus grande que celle de l'hélium. Le procédé peut également comprendre l'établissement d'une pression à l'intérieur de la chambre suffisante pour provoquer l'absorption du gaz inerte ambiant par la couche de résist, et suffisante pour supprimer l'évaporation de la couche de résist.