A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

A semiconductor device (10) having a plurality of on-chip processors (100, 101, 102), a plurality of key RAMs (110, 111, 112), a plurality of key RAM controllers (120, 121, 122), a fuse bank (200), a fuse bank controller (300) and a boot controller (500) is described. The boot controller (500) is ar...

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Hauptverfasser: HARTLEY, DAVID, H, KOREM, ELKANA
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A semiconductor device (10) having a plurality of on-chip processors (100, 101, 102), a plurality of key RAMs (110, 111, 112), a plurality of key RAM controllers (120, 121, 122), a fuse bank (200), a fuse bank controller (300) and a boot controller (500) is described. The boot controller (500) is arranged to, in a first programming stage, allocate a first array of fuses in the fuse bank (200) in dependence on the size of a first device key (210) for storing the first device key in the fuse bank (200), and, during boot-time, provide the first device key (210) to a first key RAM controller (120). The fuse bank controller (300) is arranged to program the first array of fuses with the first device key (210) in the first programming stage, provide the first device key to the boot controller (500) during boot-time, and prevent access to the first device key (210) in the fuse bank (200) during run-time. The first key RAM controller (120) is arranged to, during boot-time, store the first device key in the first key RAM (110), and, during run-time, restrict access to the first device key in the first key RAM (110) to exclusive access by the first on-chip processor (100). The first on- chip processor (100) is arranged to, during run-time, retrieve the first device key from the first key RAM (110) and use the first device key in the first key-protected processing. La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur (10) ayant une pluralité de processeurs sur puce (100, 101, 102), une pluralité de RAM clés (110, 111, 112), une pluralité de dispositifs de commande de RAM clés (120, 121, 122), un groupement de fusibles (200), un dispositif de commande de groupement de fusibles (300) et un dispositif de commande de démarrage (500). Le dispositif de commande de démarrage (500) est agencé pour, dans une première étape de programmation, allouer un premier réseau de fusibles du groupement de fusibles (200) en fonction de la taille de la première clé d'un dispositif (210) afin de stocker la première clé de dispositif dans le groupement de fusibles (200), et, lors de la période de démarrage, fournir la première clé de dispositif (210) à un premier dispositif de commande de RAM clé (120). Le dispositif de commande de groupement de fusibles (300) est agencé afin de programmer le premier réseau de fusibles au moyen de la première clé de dispositif (210) lors de la première étape de programmation, fournir la première clé de dispositif au dispositif de commande de démarrag