DESIGN ALTERATION FOR WAFER INSPECTION

Methods and systems for binning defects on a wafer are provided. One method includes identifying areas in a design for a layer of a device being fabricated on a wafer that are not critical to yield of fabrication of the device and generating an altered design for the layer by eliminating features in...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: CHANG, ELLIS, PARK, ALLEN
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Methods and systems for binning defects on a wafer are provided. One method includes identifying areas in a design for a layer of a device being fabricated on a wafer that are not critical to yield of fabrication of the device and generating an altered design for the layer by eliminating features in the identified areas from the design for the layer. The method also includes binning defects detected on the layer into groups using the altered design such that features in the altered design proximate positions of the defects in each of the groups are at least similar. La présente invention concerne des procédés et des systèmes pour compartimenter des défauts sur une tranche. Un procédé de la présente invention comprend l'identification de zones dans une conception pour une couche d'un dispositif qui est fabriqué sur une tranche qui n'est pas critique pour un rendement de fabrication du dispositif et la génération d'une conception modifiée pour la couche par élimination de caractéristiques dans les zones identifiées de la conception pour la couche. Le procédé comprend également le compartimentage de défauts détectés sur la couche dans des groupes en utilisant la conception modifiée de telle sorte que des caractéristiques dans la conception modifiée proches des positions des défauts dans chacun des groupes sont au moins similaires.