AQUEOUS CLEAN SOLUTION WITH LOW COPPER ETCH RATE FOR ORGANIC RESIDUE REMOVAL IMPROVEMENT

A cleaning composition and process for cleaning post-chemical mechanical polishing (CMP) residue and contaminants from a microelectronic device having said residue and contaminants thereon. The cleaning compositions include at least one quaternary base, at least one amine, at least one corrosion inhibitor, and at least one solvent. The composition achieves highly efficacious cleaning of the post-CMP residue and contaminant material from the surface of the microelectronic device while being compatible with barrier layers. L'invention concerne une composition de nettoyage et un procédé qui permet de retirer les résidus et les impuretés issus d'un polissage chimico-mécanique (CMP) qui se sont déposés sur un dispositif microélectronique. Ces compositions de nettoyage comprennent au moins une base quaternaire, au moins une amine, au moins un inhibiteur de corrosion et au moins un solvant. La composition retire très efficacement les résidus et les impuretés issus d'un CMP qui se sont déposés sur la surface d'un dispositif microélectronique, et elle est compatible avec les couches d'arrêt.