MONOCRYSTALLINE GALLIUM OXIDE AND MONOCRYSTALLINE GALLIUM OXIDE SUBSTRATE

[Problem] To provide a monocrystalline gallium oxide and monocrystalline gallium oxide substrate enabling improved light emission efficiency. [Solution] A monocrystalline gallium oxide (13) has a dislocation density of up to 3.5×106/cm2. The monocrystalline gallium oxide (13) is produced by an EFG p...

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Hauptverfasser:	NISHIGUCHI KENGO, AIDA HIDEO, IKEJIRI KENJIRO, NAKAMURA MOTOICHI, KOYAMA KOUJI
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; jpn
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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Beschreibung
Zusammenfassung:	[Problem] To provide a monocrystalline gallium oxide and monocrystalline gallium oxide substrate enabling improved light emission efficiency. [Solution] A monocrystalline gallium oxide (13) has a dislocation density of up to 3.5×106/cm2. The monocrystalline gallium oxide (13) is produced by an EFG process. The seed-touch temperature of the EFG process is 1930-1950°C. The neck section (13a) of the monocrystalline gallium oxide (13) is 0.8 mm or less. A monocrystalline gallium oxide substrate (21) is composed of the monocrystalline gallium oxide (13). L'invention fournit des monocristaux d'oxyde de gallium, et un substrat de monocristaux d'oxyde de gallium permettant d'améliorer un rendement luminescent. Les monocristaux d'oxyde de gallium (13) présentent une densité des dislocations inférieure ou égale à 3,5×106/cm2. Les monocristaux d'oxyde de gallium (13) sont fabriqués via un tirage de ruban par croissance. En outre, la température de contact de germe du tirage de ruban par croissance est supérieure ou égale à 1930°C et inférieure ou égale à 1950°C. Une partie cou (13a) des monocristaux d'oxyde de gallium (13) est inférieure ou égale 0,8mm. Le substrat de monocristaux d'oxyde de gallium (21) est constitué des monocristaux d'oxyde de gallium (13).