SILICON-BASED SOLAR CELLS WITH IMPROVED RESISTANCE TO LIGHT-INDUCED DEGRADATION

Solar devices with high resistance to light-induced degradation are described. A wide optical bandgap interface layer positioned between a p-doped semiconductor layer and an intrinsic semiconductor layer is made resistant to light-induced degradation through treatment with a hydrogen-containing plasma. In one embodiment, a p-i-n structure is formed with the interface layer at the p/i interface. Optionally, an additional interface layer treated with a hydrogen-containing plasma is formed between the intrinsic layer and the n-doped layer. Alternatively, a hydrogen-containing plasma is used to treat an upper portion of the intrinsic layer prior to deposition of the n-doped semiconductor layer. The interface layer is also applicable to-multi-junction solar cells with plural p-i-n structures. The p-doped and n-doped layers can optionally include sublayers of different compositions and different morphologies (e.g., microcrystalline or amorphous). The overall structure shows both an increased stability with respect to light-induced degradation and an improved performance level. L'invention concerne des dispositifs solaires présentant une résistance élevée à la détérioration induite par la lumière. Une couche d'interface à large écart énergétique optique positionnée entre une couche de semiconducteur dopé p et une couche de semiconducteur intrinsèque est rendue résistante à la détérioration induite par la lumière par un traitement à l'aide d'un plasma contenant de l'hydrogène. Dans un mode de réalisation, une structure p-i-n est formée, la couche d'interface se trouvant à l'interface p/i. Eventuellement, une couche supplémentaire d'interface traitée à l'aide d'un plasma contenant de l'hydrogène est formée entre la couche intrinsèque et la couche dopée n. En variante, un plasma contenant de l'hydrogène est utilisé pour traiter une partie supérieure de la couche intrinsèque avant le dépôt de la couche de semiconducteur dopé n. La couche d'interface est également applicable à des cellules solaires multi-jonctions comprenant plusieurs structures p-i-n. Les couches dopée p et dopée n peuvent éventuellement comprendre des sous-couches de compositions différentes et de morphologies différentes (par ex. microcristalline ou amorphe). La structure globale présente à la fois une stabilité accrue par rapport à la détérioration induite par la lumière et un niveau de performances amélioré.