COMPACT TID HARDENING NMOS DEVICE AND FABRICATION PROCESS

A radiation-hardened transistor is formed in a p-type semiconductor body having an active region doped to a first level and surrounded by a dielectric filled shallow trench isolation region. N-type source/drain regions are disposed in the active region and spaced apart to define a channel. A gate is disposed above the channel, and is self-aligned with the source/drain regions. First and second p-type regions are disposed in the p-type semiconductor body on either side of one of the source/drain regions and are doped to a second level higher than the first doping level. The first and second p-type regions are self aligned with and extend outwardly from a first side edge of the gate. The ends of the gate extend past the first and second p-type regions. Transistor durci par rayonnement formé dans un corps à semi-conducteurs de type p possédant une région active dopée à un premier niveau et entourée par d'région d'isolation à tranchée peu profonde remplie de diélectrique. Des régions source/drain de type N sont disposées dans la région active et espacées pour délimiter un canal. Une grille est disposée au-dessus du canal et s'aligne automatiquement sur les régions source/drain. Des première et seconde régions de type p sont disposées dans le corps à semi-conducteurs de type p de chaque côté d'une des régions source/drain et sont dopées à un second niveau plus élevé sur le premier niveau de dopage. Les première et seconde régions de type p s'alignent automatiquement sur un premier bord latéral de la grille et s'étendent vers l'extérieur depuis celui-ci. Les extrémités de la grille s'étendent au-delà des première et seconde régions de type p.