APPARATUS AND METHOD TO REDUCE PARTICLES IN ADVANCE ANNEAL PROCESS
Embodiments of the invention generally relate to apparatus and methods of thermal processing of semiconductor substrates using a pellicle to eliminate contamination of an aperture member. The aperture member is disposed between an energy source and a substrate to be processed. The pellicle may be a...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre |
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Zusammenfassung: | Embodiments of the invention generally relate to apparatus and methods of thermal processing of semiconductor substrates using a pellicle to eliminate contamination of an aperture member. The aperture member is disposed between an energy source and a substrate to be processed. The pellicle may be a thin piece of membrane that is substantially transparent to selected forms of energy, such as pulses of electromagnetic energy from a laser that emits radiation at one or more appropriate wavelengths for a desired period of time. In one embodiment, the pellicle is mounted at a predetermined distance from the aperture member and covering pattern openings (i.e., apertures) formed on the aperture member such that any particle contaminants that may land on the aperture member will land on the pellicle. The pellicle keeps particle contaminants out of focus in the final energy field, thereby preventing particle contaminants from being imaged onto the processed substrate.
Selon des modes de réalisation, la présente invention concerne de manière générale un appareil et des procédés de traitement thermique de substrats de semi-conducteur qui utilisent une pellicule afin d'éliminer la contamination d'un élément d'interstice. L'élément d'interstice est disposé entre une source d'énergie et un substrat devant être traité. La pellicule peut être un morceau mince d'une membrane qui est sensiblement transparente aux formes choisies d'énergie, telles que des impulsions d'énergie électromagnétique provenant d'un laser qui émet un rayonnement à une ou à plusieurs longueurs d'onde appropriées pendant un laps de temps souhaité. Selon un mode de réalisation, la pellicule est montée à une distance prédéterminée de l'élément d'interstice et recouvre des ouvertures de motif (c'est-à-dire des interstices) formées sur l'élément d'interstice de telle sorte que tout contaminant particulaire qui pourrait atterrir sur l'élément d'interstice atterrit sur la pellicule. La pellicule retient les contaminants particulaires en dehors du foyer dans le champ d'énergie final, empêchant ainsi que ceux-ci soient imagés sur le substrat traité. |
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