METHOD FOR MANUFACTURING X-RAY PLANAR DETECTOR, AND TFT ARRAY SUBSTRATE FOR X-RAY PLANAR DETECTOR

[Problem] To improve the accuracy of inspecting a TFT array in the manufacture of an X-ray planar detector. [Solution] A TFT array substrate (30) for an X-ray planar detector is manufactured, a common wiring ring (32) being provided around the portion of the X-ray planar detector where a TFT array (21) is to be formed, and the TFT array substrate (30) being connected to signal lines (53) and scan lines (54) via pairs of protective diodes (34) connected in two parallel groups having mutually opposite polarities. When the TFT array substrate (30) for an X-ray planar detector is inspected, a reference bias voltage equal to that of the amplifier of an inspection circuit is applied from external voltage application pads provided in the vicinity of connections between the common wiring ring and the protective diodes on the same side as the signal lines; a signal for switching on a thin-film transistor (41) is applied to scan-line connection pads (24); and electrical signals flowing through the signal lines (53) are read from signal-line connection pads (23). Le problème décrit par la présente invention est d'améliorer la précision du contrôle d'un réseau de TFT lors de la fabrication d'un détecteur planar par rayons X. La solution selon l'invention porte sur la fabrication d'un substrat de réseau de TFT (30) destiné à un détecteur planar par rayons X, un anneau de câblage (32) commun se trouvant autour de la partie dudit détecteur planar par rayons X où un réseau de TFT (21) doit être formé, et le substrat de réseau de TFT (30) étant connecté à des lignes de signaux (53) ainsi qu'à des lignes de balayage (54) par le biais de paires de diodes de protection (34) connectées en deux groupes parallèles qui ont des polarités opposées. Lorsque le substrat de réseau de TFT (30) destiné à un détecteur planar par rayons X est contrôlé, une tension de polarisation de référence égale à celle de l'amplificateur d'un circuit de contrôle est appliquée par des tampons d'application de tension externe situés à proximité de connexions entre l'anneau de câblage commun et les diodes de protection sur le même côté que les lignes de signaux, un signal servant à activer un transistor à couches minces (41) est appliqué sur des tampons de connexion (24) de lignes de balayage, et les signaux électriques circulant sur les lignes de signaux (53) sont lus à partir de tampons de connexion (23) de lignes de signaux.