ADAPTIVELY PROGRAMMING OR ERASING FLASH MEMORY BLOCKS

Embodiments described herein generally relate to programming and erasing a FLASH memory. In an embodiment, a method of programming or erasing the contents of a block of a FLASH memory includes determining a voltage of a pulse based on an age of the block and outputting the pulse to at least a portio...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	SHETTY, SHIVANANDA, NEO, TIO, WEI, PAK, JAMES
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Embodiments described herein generally relate to programming and erasing a FLASH memory. In an embodiment, a method of programming or erasing the contents of a block of a FLASH memory includes determining a voltage of a pulse based on an age of the block and outputting the pulse to at least a portion of the block. The pulse is used to program or erase the block. Les modes de réalisation décrits ici concernent de manière générale la programmation et l'effacement d'une mémoire flash. Dans un mode de réalisation, un procédé de programmation ou d'effacement du contenu d'un bloc de mémoire flash comprend la détermination d'une tension d'une impulsion basée sur un âge du bloc et l'émission de l'impulsion vers au moins une partie du bloc. L'impulsion est utilisée pour programmer ou effacer le bloc.