SOLID ELECTROLYTE MEMORY ELEMENTS WITH ELECTRODE INTERFACE FOR IMPROVED PERFORMANCE

A memory element can include a first electrode; a second electrode; and a memory material programmable between different resistance states, the memory material disposed between the first electrode and the second electrode and comprising a solid electrolyte with at least one modifier element formed t...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: GOPALAN, CHAKRAVARTHY, LEE, WEI TI, SHIELDS, JEFFREY, ALLAN, MA, YI
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:A memory element can include a first electrode; a second electrode; and a memory material programmable between different resistance states, the memory material disposed between the first electrode and the second electrode and comprising a solid electrolyte with at least one modifier element formed therein; wherein the first electrode is an anode electrode that includes an anode element that is ion conductible in the solid electrolyte, the anode element being different than the modifier element. La présente invention concerne un élément mémoire qui peut comprendre une première électrode ; une seconde électrode ; et un matériau de mémoire programmable entre différents états de résistance, le matériau de mémoire étant disposé entre la première électrode et la seconde électrode et comprenant un électrolyte solide dans lequel au moins un élément modificateur est formé ; la première électrode étant une électrode d'anode qui comprend un élément anode qui présente une conductibilité d'ions dans l'électrolyte solide, l'élément anode étant différent de l'élément modificateur.