FORMATION OF LOCALISED MOLTEN REGIONS IN SILICON CONTAINING MULTIPLE IMPURITY TYPES

A method for creating an inwardly extending impurity distribution profile in a substrate comprising crystalline silicon material having a background doping of a first impurity type, comprising: a) providing one or more additional impurity sources with at least two different types of impurity atoms within the substrate or in proximity to the surface of the substrate, with each of these impurity atoms having different diffusion coefficients or segregation coefficients; b) locally melting a point on the surface of the substrate with a laser, whereby the at least two different types of impurity atoms are incorporated into the melted silicon material; c) removing the laser to allow the silicon material to recrystallise; d) controlling a rate of application and/or removal of the laser to control the creation of the impurity distribution profile, with different distribution profiles for each of the at least two types of impurity atoms in the recrystallised material. La présente invention concerne un procédé pour créer un profil de distribution d'impuretés qui s'étend vers l'intérieur dans un substrat qui comprend un matériau silicium cristallin qui possède un dopage d'arrière-plan d'un premier type d'impureté. Ledit procédé comprend : a) la fourniture, à une ou plusieurs sources d'impureté supplémentaires, d'au moins deux types différents d'atomes d'impureté à l'intérieur du substrat ou à proximité de la surface du substrat, chacun de ces atomes d'impureté présentant des coefficients diffusion différents ou des coefficients de ségrégation différents ; b) la fusion locale d'un point sur la surface du substrat en utilisant un laser, les au moins deux types différents d'atomes d'impureté étant incorporés dans le matériau silicium fondu ; c) le retrait du laser pour permettre au matériau silicium de recristalliser ; d) la commande d'une fréquence d'application et/ou de retrait du laser pour commander la création du profil de distribution d'impuretés, avec des profils de distribution différents pour chacun des au moins deux types d'atomes d'impureté dans le matériau recristallisé.