LIGHT EMITTING FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD FOR TUNING THE COLOR OF LIGHT EMITTED BY THE SAME

A light emitting field-effect transistor structure (100) comprises a light emitting active region (117) comprising organic semiconductor material. According to the present invention, said light emitting active region (117) further comprises inorganic semiconductor nanoparticles (118), thereby formin...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	ALESHIN, ANDREI NIKOLAEVICH, KOVSH, ALEXEY RUSLANOVICH, BYCHKOVSKY, DENIS NIKOLAEVICH, BOUGROV, VLADISLAV EVGENYEVICH, ODNOBLYUDOV, MAXIM ANATOLYEVICH
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	A light emitting field-effect transistor structure (100) comprises a light emitting active region (117) comprising organic semiconductor material. According to the present invention, said light emitting active region (117) further comprises inorganic semiconductor nanoparticles (118), thereby forming a composite active region. La présente invention a trait à une structure électroluminescente de transistor à effet de champ (100) qui comprend une région active électroluminescente (117) comprenant un matériau semi-conducteur organique. Selon la présente invention, ladite région active électroluminescente (117) comprend en outre des nanoparticules semi-conductrices inorganiques (118), grâce auxquelles il est possible de former une région active composite.