IN SITU SUBSTRATE DETECTION FOR A PROCESSING SYSTEM USING INFRARED DETECTION

Infrared detection is used to monitor the temperature within a vapor transport deposition processing chamber. Changes in temperature that occur when a substrate passes an infrared detector are detected and used to precisely locate a position of the substrate within the chamber. Position correction o...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser:	BERGER, DAVID, ROBERTS, DALE, LOGAN, WILLIAM, MILLIRON, BENJAMIN
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY MEASURING MEASURING ANGLES MEASURING AREAS MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEARDIMENSIONS PHYSICS SEMICONDUCTOR DEVICES TESTING
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Infrared detection is used to monitor the temperature within a vapor transport deposition processing chamber. Changes in temperature that occur when a substrate passes an infrared detector are detected and used to precisely locate a position of the substrate within the chamber. Position correction of the substrate can also be implemented. Selon l'invention, une détection infrarouge est utilisée pour surveiller la température dans une chambre de traitement par dépôt par transport de vapeur. Les changements de température qui surviennent quand un substrat passe par un détecteur infrarouge sont détectés et utilisés pour situer précisément une position du substrat dans la chambre. Une correction de la position du substrat peut également être mise en oeuvre.