BULK NANOHOLE STRUCTURES FOR THERMOELECTRIC DEVICES AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Array of nanoholes and method for making the same. The array of nanoholes includes a plurality of nanoholes. Each of the plurality of nanoholes corresponds to a first end and a second end, and the first end and the second end are separated by a first distance of at least 100 muiotatauiota. Each of t...

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Hauptverfasser: LEE, CHII, GUANG, MUCKENHIRN, SYLVAIN, SCULLIN, MATTHEW, L
Format: Patent
Sprache:eng ; fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:Array of nanoholes and method for making the same. The array of nanoholes includes a plurality of nanoholes. Each of the plurality of nanoholes corresponds to a first end and a second end, and the first end and the second end are separated by a first distance of at least 100 muiotatauiota. Each of the plurality of nanoholes corresponds to a cross-sectional area associated with a distance across, and the distance across ranges from 5 nm to 500 nm. Each of the plurality of nanoholes is separated from at least another nanohole selected from the plurality of nanoholes by a semiconductor material associated with a sidewall thickness, and the sidewall thickness ranges from 5 nm to 500 nm. La présente invention concerne un réseau de nano-trous et un procédé pour sa fabrication. Le réseau de nano-trous comprend une pluralité de nano-trous. Chacun parmi la pluralité de nano-trous correspond à une première extrémité et une seconde extrémité, et la première extrémité et la seconde extrémité sont séparées par une première distance d'au moins 100 muiotatauiota. Chacun parmi la pluralité de nano-trous correspond à une superficie de section transversale associée à une distance transversale, et la distance transversale varie de 5 nm à 500 nm. Chacun parmi la pluralité de nano-trous est séparé d'au moins un autre nano-trou sélectionné parmi la pluralité de nano-trous par un matériau semi-conducteur associé à une épaisseur de paroi latérale, et l'épaisseur de paroi latérale varie de 5 nm à 500 nm.