METHOD OF MAKING PHOTOVOLTAIC DEVICES INCORPORATING IMPROVED PNICTIDE SEMICONDUCTOR FILMS

The present invention uses a treatment that involves an etching treatment that forms a pnictogen-rich region on the surface of a pnictide semiconductor film. The region is very thin in many modes of practice, often being on the order of only 2 to 3 nm thick in many embodiments. Previous investigators have left the region in place without appreciating the fact of its presence and/or that its presence, if known, can compromise electronic performance of resultant devices. The present invention appreciates that the formation and removal of the region advantageously renders the pnictide film surface highly smooth with reduced electronic defects. The surface is well-prepared for further device fabrication. La présente invention concerne un traitement qui comprend un traitement de gravure qui forme une région riche en pnictogène sur la surface d'un film semi-conducteur en pnicture. La région est très mince dans de nombreux modes de réalisation, souvent de l'ordre de 2 à 3 nm d'épaisseur dans de nombreux modes de réalisation. Les chercheurs précédents ont laissé la région en place sans apprécier le fait de sa présence et/ou que sa présence, si elle est connue, peut compromettre le fonctionnement électronique des dispositifs résultants. La présente invention comprend que la formation et l'élimination de la région rendent de manière avantageuse la surface du film en pnicture extrêmement lisse avec des défauts électroniques réduits. La surface est bien préparée pour la fabrication suivante de dispositif.