WORD SHIFT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (WS-SRAM)

Word shift static random access memory (WS-SRAM) cell, word shift static random access memory (WS-SRAM) and method using the same employ dynamic storage mode switching to shift data. The WS-SRAM cell includes a static random access memory (SRAM) cell having a pair of cross-coupled elements to store data, a dynamic/static (D/S) mode selector to selectably switch the WS-SRAM cell between the dynamic storage mode and a static storage mode, and a column selector to selectably determine whether or not the WS-SRAM cell accepts shifted data. The WS-SRAM includes a plurality of WS-SRAM cells arranged in an array and a controller to shift data. The method includes switching a storage mode and activating a column selector of, coupling data from an adjacent memory cell to, and storing the coupled data in, a selected WS-SRAM cell. L'invention concerne une cellule de mémoire à accès aléatoire à décalage de mots (WS-SRAM), une mémoire vive statique à décalage de mots (WS-SRAM) et un procédé correspondant qui utilise la même commutation de mode de stockage dynamique pour décaler des données. La cellule WS-SRAM comprend une cellule de mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) possédant une paire d'éléments interconnectés pour stocker des données, et un sélecteur de mode dynamique/statique (D/S) pour commuter sélectivement la cellule WS-SRAM entre le mode de stockage dynamique et le mode de stockage statique, et un sélecteur de colonne destiné à déterminer de manière sélective si la cellule WS-SRAM accepte ou non le décalage de données. La WS-SRAM comprend plusieurs cellules WS-SRAM disposées en réseau et une unité de commande pour décaler des données. Le procédé consiste à commuter le mode de stockage et à activer un sélecteur de la cellule WS-SRAM, à coupler des données d'une cellule de mémoire adjacente vers une cellule WS-SRAM sélectionnée et d'y stocker les données couplées.