METHOD AND APPARATUS FOR ESTIMATING YIELD OF STATIC RAM

The present invention relates to a method and apparatus for estimating the yield of static RAM, and the method for estimating the yield of static RAM comprises the steps of: forming a noise source only between one of the two storage nodes which store data of a bitcell and the input terminal of one of the two inverters, which are connected in a cross-coupled form, of the bitcell; measuring a metric by sweeping the gate voltages of two access transistors of the bitcell or the noise source and measuring the voltage at which data of the bitcell is flipped; generating a normal probability plot with respect to the metric values of multiple bitcells of the static RAM using the metric; and calculating a probability that the metric value belongs to a predetermined range using the normal probability plot, and estimating the yield of the static RAM on the basis of the calculated probability. Accordingly, it is possible to achieve more accurate yield estimation with respect to the read stability metric and write ability metric of SRAMs. L'invention concerne un procédé et un appareil permettant d'estimer le rendement d'une RAM statique. Le procédé permettant d'estimer le rendement d'une RAM statique consiste à : former une source de bruit uniquement entre l'un des deux noeuds de stockage qui enregistre les données d'une cellule binaire et le terminal d'entrée de l'un des deux onduleurs, qui sont connectés par couplage transversal, de la cellule binaire ; effectuer une mesure en balayant les tensions de grille des deux transistors d'accès de la cellule binaire ou de la source de bruit et mesurer la tension à laquelle les données de la cellule binaire sont retournées ; générer un tracé de probabilité normale concernant les valeurs de mesure de plusieurs cellules binaires de la RAM statique au moyen de la mesure ; et calculer une probabilité que la valeur de mesure appartienne à une plage prédéterminée au moyen du tracé de probabilité normale, et estimer le rendement de la RAM statique d'après la probabilité calculée. Il est donc possible d'obtenir une estimation de rendement plus précise concernant la mesure de stabilité de lecture et la mesure de capacité d'écriture des SRAM.